
Slika slična
IRF530N
MOSFET
TO-263-3
Infineon Technologies
INF
N-kanal
17 A
100 V
3.8 W
90 mΩ
9 A
10 V
4 V
250 µA
37 nC
10 V
920 pF
25 V
-55 °C
površinska ugradnja
HEXFET®
+175 °C
standardno
100 V
1
1 St.
Podatkovna tablica 162410 Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-263-3
Upute za rad i sigurnost 162410 Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-263-3
6,07 €*
Nužni pribor je potreban za korištenje proizvoda kako je opisano