
Slika slična
IRF3710SPBF
MOSFET
D2PAK
Infineon Technologies
INF
N-kanal
57 A
100 V
200 W
23 mΩ
28 A
10 V
4 V
250 µA
130 nC
10 V
3130 pF
25 V
-55 °C
površinska ugradnja
HEXFET®
+175 °C
standardno
100 V
1
1 St.
Podatkovna tablica 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Upute za rad i sigurnost 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
12,53 €*
Nužni pribor je potreban za korištenje proizvoda kako je opisano