Slika slična
Slika slična
Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-263-3
EAN:
Šifra proizvođača:
Kataloški br.:
Vrsta proizvoda
MOSFET
Kućište
TO-263-3
Izvedba
N-kanal
Snaga (maks) P(TOT)
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
Tehnički list (PDF)
736 kom. - zaliha Njemačka
količina (kom. - zaliha Njemačka)
ušteda
cijena pakiranja (sa PDV-om)
3
-
0,69 €
9
7% = 0,05 €
0,64 €
15
10% = 0,07 €
0,62 €
30
13% = 0,09 €
0,60 €
60
14% = 0,10 €
0,59 €
120
17% = 0,12 €
0,57 €
Količinski popusti - savjet za uštedu
Uštedite 0,00 €
Broj
Min.: 3
Ukupno (0,69 € / komad)
2,07 €
sa PDV-om
Uključena je politika povrata u roku od 14 dana
Istaknuti proizvodi i detalji
Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-263-3
Više informacija
Tehnički podaci
- Tip
IRF630N
- Vrsta proizvoda
MOSFET
- Kućište
TO-263-3
- Proizvođač
Infineon Technologies
- Proiz.
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
9.3 A
- U(BR) (DSS)
200 V
- Snaga (maks) P(TOT)
82 W
- R(DS)(on)
300 mΩ
- R(DS)(on) referentna struja
5.4 A
- R(DS)(on) referentni napon
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS)(th) referentna struja maks.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) referentni napon
10 V
- C(ISS)
575 pF
- Referentni napon
25 V
- Radna temperatura (min.)
-55 °C
- Vrsta montaže
površinska ugradnja
- Serija
HEXFET®
- Radna temperatura (maks.)
+175 °C
- Karakteristika transistora
standardno
- U(DSS)
200 V
- Kanali
1
- Sadržaj
1 St.
Dokumenti i preuzimanja
Podatkovna tablica
Podatkovna tablica 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-263-3
Upute za rad i sigurnost
Upute za rad i sigurnost 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-263-3
Opis
MOSFET tranzistor je komponenta pod nadzorom napona i može se izravno povezati s izvorima visokog otpora. Stoga je prikladan za upotrebu kao sklopka ili analogno pojačalo. Napomena: Proizvođač SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Ovaj tekst je strojno preveden.
Ovaj tekst je strojno preveden.
Isporuka uključuje
- MOSFET Infineon Technologies IRF630N 1 N-kanal 82 W TO-263-3