
Slika slična
Slika slična
BSS83P
MOSFET
TO-236-3
Infineon Technologies
INF
P-kanal
330 mA
60 V
360 mW
2 Ω
330 mA
10 V
2 V
80 µA
3.57 nC
10 V
78 pF
25 V
-55 °C
površinska ugradnja
SIPMOS®
+150 °C
razina logičkih vrata
60 V
1
1 St.
Podatkovna tablica 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3