
Slika slična
Slika slična
IRFP3710PBF
MOSFET
TO-247-3
Infineon Technologies
INF
N-kanal
57 A
100 V
200 W
25 mΩ
28 A
10 V
4 V
250 µA
190 nC
10 V
3000 pF
25 V
-55 °C
otvor za skoznik
HEXFET®
+175 °C
standardno
100 V
1
1 St.
Podatkovna tablica 162653 Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247-3
Upute za rad i sigurnost 162653 Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247-3