
Slika slična
IRF1010E
MOSFET
TO-220
Infineon Technologies
INF
N-kanal
84 A
60 V
200 W
12 mΩ
50 A
10 V
4 V
250 µA
130 nC
10 V
3210 pF
25 V
-55 °C
otvor za skoznik
HEXFET®
+175 °C
standardno
60 V
1
1 St.
Podatkovna tablica 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
Upute za rad i sigurnost 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
16,61 €*
Nužni pribor je potreban za korištenje proizvoda kako je opisano