Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Šifra proizvođača:
Kataloški br.:
Vrsta proizvoda
MOSFET
Kućište
SO-8
Izvedba
N-kanal
P-kanal
Snaga (maks) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.4 Ω
Tehnički list (PDF)
6600 kom. - zaliha Njemačka
količina (kom. - zaliha Njemačka)
ušteda
cijena pakiranja (sa PDV-om)
50
-
0,60570 €
150
6% = 0,04 €
0,56869 €
250
13% = 0,08 €
0,52847 €
500
15% = 0,09 €
0,51375 €
1000
18% = 0,11 €
0,49722 €
2000
21% = 0,13 €
0,47881 €
Količinski popusti - savjet za uštedu
Uštedite 0,00 €
Broj
Min.: 50
Višestruki: 50
Ukupno (0,6057 € / komad)
30,29 €
sa PDV-om
Istaknuti proizvodi i detalji
INFI SMD Power MOSFET-ovi zalijepljeni IRF_
Više informacija
Tehnički podaci
- Tip
IRF7105PBF-GURT
- Vrsta proizvoda
MOSFET
- Kućište
SO-8
- Proizvođač
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
P-kanal
- I(d)
3.5 A
- U(BR) (DSS)
25 V
- Snaga (maks) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.4 Ω
- Vrsta montaže
površinska ugradnja
- Kanali
2
- Sadržaj
1 St.
- UKCA
da
Dokumenti i preuzimanja
Podatkovna tablica
Podatkovna tablica 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Upute za rad i sigurnost
Upute za rad i sigurnost 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8