Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Šifra proizvođača:
Kataloški br.:
Vrsta proizvoda
MOSFET
Kućište
SO-8
Izvedba
N-kanal
P-kanal
Snaga (maks) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Tehnički list (PDF)
7 kom. - zaliha Njemačka
količina (kom. - zaliha Njemačka)
ušteda
cijena pakiranja (sa PDV-om)
3
-
0,62994 €
9
6% = 0,04 €
0,59145 €
15
13% = 0,08 €
0,54962 €
30
15% = 0,10 €
0,53432 €
60
18% = 0,11 €
0,51712 €
120
21% = 0,13 €
0,49797 €
Količinski popusti - savjet za uštedu
Uštedite 0,00 €
Broj
Min.: 3
Ukupno (0,62994 € / komad)
1,89 €
sa PDV-om
Dostupno još samo 7 kom. - zaliha Njemačka
Istaknuti proizvodi i detalji
MOSFET
Više informacija
Tehnički podaci
- Tip
IRF7343PBF-GURT
- Vrsta proizvoda
MOSFET
- Kućište
SO-8
- Proizvođač
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
P-kanal
- I(d)
4.7 A
- U(BR) (DSS)
55 V
- Snaga (maks) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Vrsta montaže
površinska ugradnja
- Kanali
2
- Sadržaj
1 St.
- UKCA
da
Dokumenti i preuzimanja
Podatkovna tablica
Podatkovna tablica 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Upute za rad i sigurnost
Upute za rad i sigurnost 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8