
Slika slična
Slika slična
SI4948BEY-T1-E3
MOSFET
SOIC-8
Vishay
VIS
P-kanal
2.4 A
60 V
1.4 W
120 mΩ
3.1 A
10 V
3 V
250 µA
22 nC
10 V
-55 °C
površinska ugradnja
TrenchFET®
+175 °C
razina logičkih vrata
60 V
2
1 St.
Podatkovna tablica 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Upute za rad i sigurnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8