
Slika slična
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET
SOIC-8
Vishay
VIS
N-kanal
6.5 A
60 V
3.7 W
41 mΩ
5.3 A
10 V
3 V
250 µA
25 nC
10 V
840 pF
30 V
-55 °C
površinska ugradnja
TrenchFET®
+175 °C
razina logičkih vrata
60 V
2
1 St.
Podatkovna tablica 597347 MOSFET Vishay SI4946BEY-T1-E3 2 N-kanal 3.7 W SOIC-8
Upute za rad i sigurnost 597347 MOSFET Vishay SI4946BEY-T1-E3 2 N-kanal 3.7 W SOIC-8
Nužni pribor je potreban za korištenje proizvoda kako je opisano